DX-100霍尔效应测试系统
可测试的样品：
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等
低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等
高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等
霍尔系统的组成：
系统由：电磁铁、高精度电源、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、标准样品、样品安装架、系统软件。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。
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编号 |
品名 |
型号 |
描述 |
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1 |
电磁铁 |
DXWD-100 |
极面直径：100mm 磁场：17000Gs，气隙10mm 磁场：10000Gs，气隙25mm 磁场：8000Gs，气隙30mm 均匀区：1%，在6*6mm，10mm气隙 重量：110kgs |
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2 |
高斯计 |
DX-150 |
精度：读数的±0.30%/分辨率0.01mT，量程0-3T/探头厚度：1.0mm/长度：100mm/数字显示，RS-232接口，探头CDX-800FT |
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3 |
电源 |
F2030 |
数字恒流电源，10A，100V，1000W，RS-232接口，可以数控极性转换，分辨率：1mA |
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4 |
探头和探头架 |
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无磁探头架可调节5-70mm |
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5 |
软件 |
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调节磁场，数字化，对各种测试材料进行电流测试 |
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6 |
恒流源 |
DX-320 |
电流输出：0.1nA-50mA，电压测试：0.1uV-3V |
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7 |
低温恒温器 |
DXE-12 |
80k-500k |
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8 |
温控仪 |
DX-202 |
温度控制范围：80k-720k |
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9 |
真空泵 |
K25 |
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主要参数：
- 磁场强度：大于14000高斯（DX-100），气隙20mm
- 电流：0.1mA-50mA（可扩展到1A）
- 测量电压：0.1uV-3V
- 所提供的标样材料：GaAs， Si等
- 磁场最小分辨率：0.01mT
- 磁场测量范围：0-3T
- 电阻范围：10mΩ-1MΩ
- 载流子浓度：103-1023cm-3
- 迁移率：0.1-108cm2/volt*sec
- 系统测量误差：＜2%
- 用高斯计或数据采集板计算机通信
- I-V曲线和I-R曲线测试
- 电阻率范围：10-6-1011ohm*cm
- 电阻范围：10mΩ-1MΩ
- 载流子浓度：103-1022cm-3
- 迁移率：102-107cm2/volt*sec
- 温度调节：0.1k
- 温度范围：80k-500k （可选）
- 全自动测试，一件处理
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